[发明专利]清洗组合物及用其形成半导体图形的方法无效
| 申请号： | 201110193699.4 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102296006A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吉峻仍;李锡浩;朴正浚;张涌守 | 申请（专利权）人： | 拉姆科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;C11D7/32;C11D7/60;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 揭露了一种清洁组合物及半导体图形形成方法。所述清洁组合物包括基于所述清洁组合物的总量的10％～70％重量的醚化合物、0.1％～2％重量的含氟化合物作为蚀刻剂、0.1％～3％重量的抗腐蚀剂、及去离子水的残留量。所述方法中，在包括预定结构的基底上形成绝缘层，并且在所述绝缘层中形成大马士革图形。使用所述清洁组合物进行清洁。形成填满所述大马士革图形的金属层，并且使得所述金属层平面化以暴露所述绝缘层的上部，并且形成金属布线。在蚀刻处理之后，可去除蚀刻残留物而不会损伤金属布线，特别是铜布线，并且可减少处理缺陷的生成。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 组合 形成 半导体 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种清洁组合物，包括：基于所述清洁组合物的总量的，10％～70％重量的醚化合物；0.1％～2％重量的含氟化合物作为蚀刻剂；0.1％～3％重量的抗腐蚀剂；及余量的去离子水。
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