[发明专利]修补层形成方法及金属氧化物半导体晶体管结构有效
| 申请号： | 201110193827.5 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881590A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 林建良;颜英伟;王俞仁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种修补层的形成方法以及金属氧化物半导体晶体管结构，该修补层的形成方法包括：提供基板，在基板上方形成栅极结构，栅极结构至少包括栅极介电层以与栅极导体结构；执行氮化工艺而在栅极结构表面上形成含氮表面层；以及对含氮表面层进行热氧化法以形成修补层。该金属氧化物半导体晶体管结构包括：栅极介电层，设置在基板上方；栅极导体结构，设置在栅极介电层上方；以及修补层，至少覆盖在栅极导体结构的侧壁表面。 | ||
| 搜索关键词： | 修补 形成 方法 金属 氧化物 半导体 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种修补层形成方法，包括下列步骤：提供基板，该基板上方已形成有栅极结构，该栅极结构至少包括栅极介电层以及栅极导体结构；执行氮化工艺而在该栅极结构表面上形成含氮表面层；以及对该含氮表面层进行热氧化法以形成修补层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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