[发明专利]金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110194119.3 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102420257A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、底部电极和介于顶部电极和底部电极之间的绝缘层，该结构形成于一MOS器件区域内，MOS器件的栅极区域覆有一绝缘层和一多晶硅层，栅极就是底部极板，多晶硅层就是顶部电极。制作方法为采用带有栅极的硅基体，在其表面覆盖一层绝缘层；在绝缘层上沉积一层多晶硅层；进行光阻旋涂和图形化；刻蚀掉部分区域的栅极表面的绝缘层和多晶硅层；去除剩余光阻。本发明将MOS器件区域也作为了半导体电容器的一部分后集成到了电容器电路中，为本领域的制造工程师们寻求增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积的电容值密度的方法提供了新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 mos 电容器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑绝缘体‑金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、底部电极和介于顶部电极和底部电极之间的绝缘层，其特征在于，该结构形成于一MOS器件区域内，所述MOS器件包括一硅基体和栅极，所述MOS器件的栅极区域覆有一绝缘层和一多晶硅层，所述栅极就是底部电极，所述多晶硅层就是顶部电极，所述绝缘层位于所述栅极和所述多晶硅层之间。
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