[发明专利]一种采用等离子体处理多孔低K值介质的方法无效
| 申请号： | 201110194243.X | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102427055A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李程;杨渝书;陈玉文;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种采用等离子体处理多孔低K值介质的方法。本发明公开了一种采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，通过将相应气体激发为高聚合体密度的等离子体，使等离子体与多孔低K值介质薄膜反应而在薄膜表面形成钝化层进行封孔，从而不仅能有效的减少后续金属或非金属物质淀积程序对多孔低K值材料的扩散，以抑制其K值的升高和器件性能的降低，且无残留物质，对后续流程不会产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 等离子体 处理 多孔 介质 方法 | ||
【主权项】：
本发明公开了一种采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将一经薄膜淀积或刻蚀工艺后，形成包含有多孔低K介质薄膜的器件置于一机台的两电极之间；步骤S2：打开所述机台的射频源并同时于所述两电极之间通入气体，以在所述多孔低K介质薄膜上方将所述气体激发为高聚合体密度的等离子体；所述等离子体与所述多孔低K介质薄膜反应并在其表面上形成钝化层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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