[发明专利]一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件

摘要

本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的发生。本发明结构简单，电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。相比传统基于二极管和MOS管的ESD防护方案，本发明有着面积效率上的优势；相比传统二极管辅助触发的可控硅防护方案，本发明有着低闩锁风险的优势。

主权项

一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，包括P型衬底(21)，其特征在于：所述的P型衬底(21)上依次设有第一P+注入区(22)、第一N+注入区(23)、第一N阱(24)、第二N阱(25)和第三N阱(26)，所述的第一N阱(24)上依次设有第二P+注入区(24a)、第二N+注入区(24b)和第三P+注入区(24c)，所述的第二N阱(25)上依次设有第四P+注入区(25a)和第三N+注入区(25b)，所述的第三N阱(26)上依次设有第五P+注入区(26a)和第四N+注入区(26b)；所述第一P+注入区(22)、第一N+注入区(23)和第三N+注入区(25b)均与电学阴极相连，所述的第二P+注入区(24a)和第三P+注入区(24c)均与电学阳极相连，所述的第二N+注入区(24b)与第五P+注入区(26a)相连，所述的第四P+注入区(25a)与第四N+注入区(26b)相连。