[发明专利]硅通孔的容错单元与方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔的容错单元与容错方法。硅通孔容错单元包括硅通孔结构TSV1～TSVn、节点N11～N1n、节点N21～N2n以及开关模块。硅通孔结构TSVi连接于第一芯片的节点N1i与第二芯片的节点N2i之间，其中1≤i≤n。开关模块连接于第二芯片的节点N21～N2n与第二芯片的测试路径之间。在正常操作状态下，当硅通孔结构TSV1～TSVn有效时，开关模块不连接该测试路径与节点N21～N2n。在正常操作状态下，当硅通孔结构TSVi失效时，开关模块将节点N2i连接至其它第二节点中至少其中之一。在测试状态下，开关模块将该测试路径连接至节点N21～N2n。本发明容错单元不需增加额外的硅通孔结构便可以实现硅通孔容错的效果。

主权项

一种硅通孔的容错单元，其特征在于，包括：n个硅通孔结构TSV1～TSVn，其中n为整数；n个第一节点N11～N1n，配置于一芯片叠层的一第一芯片上；n个第二节点N21～N2n，配置于该芯片叠层的一第二芯片上，其中该硅通孔结构TSVi电性连接于该第一节点N1i与该第二节点N2i之间，而1≤i≤n；以及一开关模块，配置于该第二芯片，该开关模块耦接于这些第二节点N21～N2n与该第二芯片的一测试路径之间；其中在一正常操作状态下，当这些硅通孔结构TSV1～TSVn有效时，该开关模块不连接该测试路径与这些第二节点N21～N2n；在该正常操作状态下，当该硅通孔结构TSVi失效时，该开关模块将该第二节点N2i连接至其它第二节点中至少其中之一；以及在一测试状态下，该开关模块将该测试路径连接至这些第二节点N21～N2n。