[发明专利]存储元件以及内存结构有效
| 申请号： | 201110196968.2 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102347080A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 迈伦·布尔 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 蔡晓红;王小青 |
| 地址： | 美国加州尔湾市奥尔顿公*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及存储元件以及内存结构，实施例扩展了熔丝元件、反熔丝元件以及其结合使能多次可编程存储元件的能力。因此，实施例显著降低了存储元件的面积要求和控制电路复杂性。实施例可以在例如非易失的存储器中使用，并且适合于在片上系统(SoC)的产品中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 以及 内存 结构 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其特征在于，包括：与所述存储元件的N‑区耦合的第一终端；与所述存储元件的P‑区耦合的第二终端；其中所述N‑区和P‑区产生多晶硅二极体反熔丝；以及覆盖所述N‑区和P‑区的硅化物层，其中在所述存储元件的初始编程状态中，所述硅化物层产生与所述多晶硅二极体反熔丝并联的多晶硅熔丝。
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