[发明专利]一种银掺杂铁基超导体的制备方法有效
申请号: | 201110197189.4 | 申请日: | 2011-07-14 |
公开(公告)号: | CN102354572A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 闫镔杰;索红莉;刘志勇 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B12/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种银掺杂铁基超导体的制备方法,属于铁基超导材料技术领域。包括以下步骤:在氩气保护下,将稀土和As粉末封装在石英管内热处理制备LnAs粉;在氩气保护手套箱内,将LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1~1.5)x配比(0<x<0.6),加入银单质,研磨压制成片状;在高真空下退火:0到600℃升温速率1~5℃/min;600℃到900℃升温速率1~3℃/min;900℃保温5~15小时,900℃到(1100℃~1200℃)升温速率1~3℃/min;1100℃~1200℃保温20~30小时;炉冷至室温。通过加入银单质,提高铁基超导体的电磁性能和实用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 超导体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种银掺杂铁基超导体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)初始粉末LnAs的制备:在氩气保护气氛下,将需要的稀土粉末(Ln)和As粉按摩尔比1∶(1~1.1)的比例进行称量,充分混合;将混合均匀的原料封装在高真空10‑4~10‑6Pa的石英管内,然后进行热处理,热处理过程依次为:从室温到400℃,升温速率为1~5℃/min;从400℃到600℃升温速率为1~5℃/min;600℃保温3~10小时;从600℃到900℃升温速率为1~5℃/min;900℃保温10~25小时;最后炉冷至室温;(2)银掺杂的铁基超导体LnO1‑xFxFeAs的制备:在氩气保护的手套箱内,将第一步中制备好的初始粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1‑x)∶(1.1~1.5)x进行配比,0<x<0.6,同时加入银单质,银的质量为初始粉末LnAs、Fe粉、Fe2O3粉和FeF3粉总质量的1%~10%的;将其充分研磨,压制成片状;然后将其在高真空10‑4~10‑6Pa环境下进行退火处理,其中热处理过程依次为:首先从0到600℃,升温速率为1~5℃/min;从600℃到900℃,升温速率为1~3℃/min;然后在900℃保温5~15小时;从900℃到(1100℃~1200℃),升温速率为1~3℃/min;最后在1100℃~1200℃保温20~30小时;炉冷至室温,最终制备出LnO1‑xFxFeAs超导体。
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