[发明专利]一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池有效
| 申请号： | 201110197284.4 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102231402A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李卫;冯良桓;张静全;武莉莉 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池属于新结构的光伏电池。其要点是采用一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜（三带隙材料）作为吸收层，这种稀释氧化物半导体薄膜为掺氧含量比较低的ZnSe（ZnSeO），即ZnSe1-xOx，0＜x＜0.1。本发明中太阳电池的结构为：衬底/ZnSe基PIN结构的功能层/过渡层材料/电极。采用上述结构的太阳电池，可更好收集和利用太阳光，增加耗尽层宽度，获得更高的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ii vi 稀释 氧化物 半导体 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种II VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，结构为：衬底/ZnSe基PIN结构的功能层/过渡层/电极，其特征是：这种太阳电池的吸收层为掺氧含量比较低的ZnSe，即ZnSe1 xOx，0＜x＜0.1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
