[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110197676.0 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102881656A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 何永根;吴兵;刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/265;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：在衬底中形成凹陷；对凹陷底部进行注入以在凹陷底部下方预定深度形成非晶化层；以非晶化层作为对于湿法刻蚀的阻挡层对凹陷进行晶向选择性湿法刻蚀从而形成Sigma形凹陷。通过注入形成非晶化层作为后面湿法刻蚀的阻挡层，避免了形成具有尖的底部的Sigma凹陷，从而形成满足条件的Sigma凹陷，进一步提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在衬底中形成凹陷；对所述凹陷底部进行注入以在所述凹陷底部下方预定深度形成非晶化层；以所述非晶化层作为阻挡层对所述凹陷进行晶向选择性湿法刻蚀从而形成Sigma形凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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