[发明专利]一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201110198078.5 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102260870A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 曹远迎;李耀耀;张永刚;顾溢;王凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C30B33/10;H01L21/308;H01L21/467;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 尺寸 二维 介质 光子 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：(1)在衬底上用等离子增强化学气相沉积法沉积一层Si3N4，在Si3N4表面旋涂一层光刻胶并烘焙，得样品；(2)将上述样固定于全息曝光系统的样品架上进行第一次曝光，然后将样品旋转90°进行第二次曝光，对垂直交叉曝光后的样品进行烘焙；(3)将上述曝光后的样品放入显影液中进行分步显影，在光刻胶上形成柱状光子晶体结构；(4)将上述显影后的样品超声清洗去除光刻胶，采用反应离子刻蚀法刻蚀Si3N4，以Si3N4为掩膜，采用电感耦合等离子体刻蚀法刻蚀衬底材料并去除残余的Si3N4，清洗干燥即得亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体。
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