[发明专利]半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110198180.5 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102881634A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：在半导体衬底上形成至少一条连续的栅极线；绕所述栅极线形成栅极侧墙；在所述栅极线的两侧，在所述半导体衬底中形成源/漏区；绕所述栅极侧墙的外侧形成导电侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极，被隔离的导电侧墙部分形成相应单元器件的接触部。本发明的实施例特别适用于集成电路中接触部的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件结构的方法，包括：在半导体衬底上形成至少一条连续的栅极线；绕所述栅极线形成栅极侧墙；在所述栅极线的两侧，在所述半导体衬底中形成源/漏区；绕所述栅极侧墙的外侧形成导电侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极，被隔离的导电侧墙部分形成相应单元器件的接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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