[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201110198191.3 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102270670A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 雷青松;安会静;薛俊明;李顺军;张金娟 申请(专利权)人: 河北汉盛光电科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/075
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 053000 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池结构,掺铝的氧化锌(AZO)薄膜反射背极板和掺硼的氧化锌薄膜层(BZO)作为双背电极板结构、并在前电极掺氟的二氧化锡(FTO)薄膜层与透明玻璃基板间加入具有绒面的Si3N4减反射层,利用该结构,可有效增强光吸收,提高太阳能电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种硅基薄膜太阳能电池,其特征在于在玻璃基板(7)上依次设置具有绒面的Si3N4减反射层(9)、掺氟的二氧化锡(FTO)薄膜层(6)、p型硅基层(5)、i型硅基层(4)、n型硅基层(3)、掺硼的氧化锌薄膜层(BZO)(8)、掺铝的氧化锌(AZO)薄膜反射背极板层(2)、铝膜层(1)。
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