[发明专利]发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具有效
| 申请号： | 201110198197.0 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102244164A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;洪志欣;邵世丰;刘恒 | 申请（专利权）人： | 财团法人成大研究发展基金会;柏光照明股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具，所述封装方法包括一配置牺牲层步骤、一同步配置晶粒步骤、一定义成型步骤、一蚀刻步骤。配置牺牲层步骤是在一基板上，配置一第一牺牲层。同步配置晶粒步骤是在第一牺牲层尚未固化前，同步配置发光二极管晶粒于第一牺牲层中。定义成型步骤是在固化的第一牺牲层上，以一第一材料、一第二牺牲层以及一第二材料形成一支撑基层。蚀刻步骤是移除第一牺牲层及第二牺牲层，以得到发光二极管晶粒模块，其中每一发光二极管晶粒模块包括对应的支撑基层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 模块 封装 方法 及其 移取治具 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒模块的封装方法，适于量产多个发光二极管晶粒模块，每一发光二极管晶粒模块包括至少一发光二极管晶粒，其特征在于，该封装方法包括：一配置牺牲层步骤：在一基板上，配置一第一牺牲层；一同步配置晶粒步骤：在该第一牺牲层尚未固化前，同步配置该些发光二极管晶粒于该第一牺牲层中；一定义成型步骤：在固化的该第一牺牲层上，以一第一材料、一第二牺牲层以及一第二材料形成一支撑基层，其中该第二牺牲层定义一模块图像，该支撑基层包括该第一材料及该第二材料；以及一蚀刻步骤：移除该第一牺牲层及该模块图像，以得到该些发光二极管晶粒模块，其中每一发光二极管晶粒模块包括对应的该支撑基层。
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