[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管包括基片，源、漏电极，栅电极，绝缘层和有源层，有源层包括由有机半导体材料组成的薄膜层，源、漏电极均是由掺杂剂和该有机半导体材料的混合物形成的薄膜层。该方法为：以有机半导体材料的溶液在基片上沉积形成有机半导体薄膜后，再经退火处理，制得有源层；而后以掺杂剂和该有机半导体材料的共混溶液在设于基片上的有源层上沉积电极材料层，再进行退火处理，从而形成具有设定形貌的源、漏电极。本发明可有效降低有机薄膜晶体管中源、漏电极与有源层之间的接触电阻，进而提高有机薄膜晶体管的性能。

主权项

一种有机薄膜晶体管，包括基片、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层和有源层，其特征在于：所述有源层包括由有机半导体材料组成的薄膜层，所述源电极和漏电极均是由掺杂剂和该有机半导体材料的混合物形成的薄膜层，其中掺杂剂的浓度为10 50wt％；所述掺杂剂至少为NOPF6、含Fe3+的盐和I2中的任意一种。