[发明专利]一种闭路循环生产多晶硅的工艺无效
| 申请号： | 201110198289.9 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102351195A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 白柳杨;袁方利;尹春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 针对多晶硅产业中西门子法氢还原三氯氢硅转化率低和处理四氯化硅方面的难题，本发明提出一种闭路循环生产多晶硅的工艺。西门子法氢还原三氯氢硅工序中反应后的气体包括气体产物和未转化的气体原料直接通入金属还原炉，经金属还原反应后，剩余气体接着直接通过气体管路循环至三氯氢硅合成工序。将锌还原工艺嵌入西门子法，彻底实现闭路循环生产多晶硅。与对西门子法的副产物四氯化硅进行先提纯然后进行锌还原的工艺相比较，本发明减少了循环过程中的分离提纯过程，同时节省了金属还原过程的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闭路 循环 生产 多晶 工艺 | ||
【主权项】：
一种闭路循环生产多晶硅的工艺，包括以下几个步骤：步骤(1)，氢气和氯气反应生成氯化氢；步骤(2)，步骤(1)合成的氯化氢与冶金硅反应合成三氯氢硅；步骤(3)，对步骤(2)合成产物进行分离提纯生产高纯三氯氢硅；步骤(4)，步骤(3)生产的高纯三氯氢硅进入氢还原炉还原；步骤(5)，步骤(4)反应后气体进入金属还原炉反应；步骤(6)，对步骤(5)反应后气体循环至三氯氢硅合成，金属还原固体产物进行分离，金属氯化物电解后金属循环至金属还原炉，氯气循环至氯化氢合成。
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