[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法

摘要

本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，具有：存储单元阵列，该存储单元阵列是分别沿行方向以及列方向呈矩阵状排列多个存储单元而成的，所述存储单元具有存储元件和单元晶体管，该存储元件具有两个输入输出端子，利用该二端子间的电气特性的差异来存储信息，通过在该二端子间施加电压，从而进行所存储的信息的改写，该单元晶体管具有两个输入输出端子和一个控制端子，所述存储元件的所述输入输出端子的一个端子和所述单元晶体管的所述输入输出端子的一个端子连接；字线，在行方向上延伸，并且，将排列成同一行的所述存储单元的所述单元晶体管的所述控制端子彼此分别连接；位线，在列方向上延伸，并且，将排列成同一列的所述存储单元的所述存储元件的所述输入输出端子的不与所述单元晶体管连接的另一个端子彼此连接；公用线，在行方向或列方向上延伸，并且，将所述存储单元的所述单元晶体管的所述输入输出端子的不与所述存储元件连接的另一个端子彼此连接；字线电压施加电路，在存储于所述存储元件的信息的改写中，对与被选择为改写对象的所述存储单元连接的字线施加电压；第一电压施加电路，对与所述选择的存储单元连接的所述位线施加改写电压；第二电压施加电路，在施加所述改写电压之前，对与所述选择的存储单元连接的所述位线和所述公用线这二者预先施加相同的预充电电压，并且，在对与所述选择的存储单元连接的所述位线施加所述改写电压的期间，对与所述选择的存储单元连接的所述公用线施加所述预充电电压。