[发明专利]一种高压直流发光二极管芯片制造方法及其结构

摘要

本发明公开了一种高压直流发光二极管芯片制造方法及其结构。该制造方法利用倒装工艺将多个已经分选好的发光二极管芯片单元倒装于设有串联电路的高导热基底表面，接着利用键合设备将已经倒装在基底上的芯片做键合工艺，使多个所述发光二极管芯片单元依次串联；将已经串联在导热基底上的芯片做激光剥离工艺，去除蓝宝石衬底；形成高压直流发光二极管。本发明将常规的芯片单元键合在已经设有串联电路的高导热芯片基底上进行蓝宝石剥离，方法简单、易操作，有利于芯片良品率及生产效率的提高；制作的芯片结构可以以增加串联芯片个数的方式增加芯片的输入功率，从而减小了pn结在大电流工作状态下的热损伤，防止了当流过pn结的电流密度过大时光效下降。同时，由于采用高导热基底及相对较小的工作电流，减少了热对芯片造成的损失，进一步提高了芯片的寿命。

主权项

一种高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)粗糙化导热转移衬底，增加用于倒装及键合的表面面积；在导热转移衬底上制作用于将多个LED芯片单元连接的串联电路单元，同时将不属于串联电路单元的其余衬底表面绝缘处理；2)制作独立的采用蓝宝石衬底的LED芯片单元，并将独立的LED芯片单元进行分选；3)将已经分选好的独立LED芯片单元倒装在已经制备有串联电路单元的导热转移衬底上，使多个LED芯片单元依次串联；4)将倒装在导热转移衬底上的所有LED芯片单元一起再做低温高压键合工艺；5)激光剥离所述蓝宝石衬底；6)清洗剥离后的LED芯片单元；7)研磨倒装有多个LED芯片单元的导热转移衬底，按照导热转移衬底上制作的串联电路单元划裂导热衬底，形成独立的高压直流LED。