[发明专利]一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构无效

专利信息
申请号: 201110198894.6 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102244184A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 曹冰;张桂菊;王钦华;黄奎;韩琴;王建峰;任国强;徐科 申请(专利权)人: 苏州大学;苏州纳维科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/44
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构。包含安装于基板上的LED芯片一只至多只,在芯片的出光面侧安置偏振膜,在基板与芯片底部之间安置退偏振器。LED发出的光通过偏振膜后,s和p两个偏振态的光只有其中一个偏振态通过偏振膜透射出去,另一偏振态的光则被反射后再次进入LED芯片,大部分光到达LED底面端,经过退偏振器后被退偏振,并经底部基板材料反射后再次到达表面偏振膜,并再次部分出射。同时被反射回的光又一次循环到达底部退偏振器,如此循环利用。该LED封装结构不仅能够实现偏振态出光,同时反射光被循环利用,提高LED的出光效率,达到提高LED出光效率和实现偏振出光的双重目标。
搜索关键词: 一种 gan 偏振 二极管 封装 结构
【主权项】:
一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构,包括一只或多只安置于基板上的GaN基蓝或绿光LED芯片,及封装壳体;其特征在于:在所述LED芯片(2)的出光面的上表面设置有偏振膜(1);在基板(5)与LED芯片底部之间安置退偏振器(4),整体封装于壳体内部;所述的偏振膜为金属线栅结构或多层介质膜结构,对蓝或绿光波段的s或p光,其中一种偏振态为选择性通过,另一种偏振态为全反射。
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