[发明专利]一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法有效
申请号: | 201110199127.7 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN102270717A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 罗红波;张建宝;周武;刘榕 | 申请(专利权)人: | 华灿光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/00;B23K26/36;B23K26/42 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 刘冬梅 |
地址: | 430223 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及本一种具有弯曲衬底侧面的发光二极管及其制备方法;通过两束光激光束对晶片进行划片时,调整两束激光束聚焦点在晶片中的位置,使得二极管芯片的衬底侧面是倾斜/弯曲的,并能降低总的划片深度,本发明改善了传统发光二极管芯片出光效率低的缺陷,所制得的发光二极管芯片出光效率得到提高,并且裂片成品率和均匀性得到改善。 | ||
搜索关键词: | 一种 弯曲 衬底 侧面 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管芯片,该芯片包括衬底层以及层叠于衬底层上的外延层,其特征在于,所述衬底的侧面是倾斜的或弯曲的,优选衬底的两两相对的侧面类似于平行四边形形状倾斜或弯曲。
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