[发明专利]一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110199127.7 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102270717A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 罗红波;张建宝;周武;刘榕 申请(专利权)人: 华灿光电股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/00;B23K26/36;B23K26/42
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 刘冬梅
地址: 430223 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及本一种具有弯曲衬底侧面的发光二极管及其制备方法;通过两束光激光束对晶片进行划片时,调整两束激光束聚焦点在晶片中的位置,使得二极管芯片的衬底侧面是倾斜/弯曲的,并能降低总的划片深度,本发明改善了传统发光二极管芯片出光效率低的缺陷,所制得的发光二极管芯片出光效率得到提高,并且裂片成品率和均匀性得到改善。
搜索关键词: 一种 弯曲 衬底 侧面 发光二极管 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种发光二极管芯片,该芯片包括衬底层以及层叠于衬底层上的外延层,其特征在于,所述衬底的侧面是倾斜的或弯曲的,优选衬底的两两相对的侧面类似于平行四边形形状倾斜或弯曲。
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