[发明专利]中子准直器及中子散射谱仪无效
| 申请号： | 201110200109.6 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102324259A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈东风;杨浩智;王雨;吴展华;田庚方;吴立齐;李眉娟;刘晓龙;韩松柏;孙凯;王洪立;刘蕴韬 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G21K1/02 | 分类号： | G21K1/02;G01N23/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中子准直器及中子散射谱仪。本发明涉及中子散射技术领域，解决了现有技术中在提高中子透射率的同时，抗辐照老化能力差的问题。本发明实施例提供的方案为：一种中子准直器，包括分隔片，其特征在于，所述分隔片包括载体层和中子吸收层，所述载体层为金属箔，所述中子吸收层附着于所述载体层上。本发明实施例适用于中子测量仪器等。 | ||
| 搜索关键词： | 中子 准直器 散射 | ||
【主权项】：
一种中子准直器，包括框架和固定在框架上的若干层分隔片，相邻的两层分隔片之间形成中子透射通道，其特征在于，所述分隔片包括载体层和中子吸收层，所述载体层为金属箔，所述中子吸收层附着于所述载体层上。
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