[发明专利]三维电路的制造方法有效
| 申请号： | 201110202041.5 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102892252A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 胡泉凌;陈誉尉 | 申请（专利权）人： | 联滔电子有限公司;胡泉凌 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/06;H05K3/38;H01Q1/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人： | 王业晖 |
| 地址： | 香港新界沙田火炭山尾街*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维电路的制造方法，包含有：提供一三维立体结构的本体；对本体进行表面脱脂及粗化处理；对本体表面进行金属化处理，沉积形成金属薄膜层；对金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成光阻保护层；对光阻保护层进行曝光/显影处理，形成图案化光阻保护层；对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成图案化线路层；剥除图案化线路层上的光阻保护层；对图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成线路增厚层。如此即可在三维立体结构的本体上直接形成一立体布线的电路图案，而无须在本体上额外设置一电路载体，以满足轻、薄、短、小的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维电路的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)提供一三维立体结构的本体；(2)对上述本体进行表面前处理；(3)对上述本体表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层；(4)对上述金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层；(5)对上述光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层；(6)对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成图案化线路层；(7)剥除上述图案化线路层上的光阻保护层；以及对上述图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。
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