[发明专利]测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法无效
| 申请号： | 201110202228.5 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102891093A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 于源源;刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长N型硅外延层；(2)在N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充沟槽；(4)将P型硅外延层划分为N层，测定N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型硅外延层和与之相同厚度的N型硅外延层，每去除一层，就测定一次剩余P型硅外延层的电阻Rs总-i，直到测到第N层；(6)计算P型硅外延层每次去除部分的电阻Rsi。该方法利用并联电阻的测算原理，将整个深沟槽内的外延层分成多层电阻并联，然后分别计算出各层的电阻值，从而能够有效分析出SJ沟槽内外延层掺杂的纵向分布情况。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 超级 深沟 外延 电阻 纵向 分布 方法 | ||
【主权项】：
一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长一层N型硅外延层；(2)在该N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充该沟槽；其特征在于，还包括以下步骤：(4)将步骤(3)形成的P型硅外延层划分为N层，测定该N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型硅外延层和相同厚度的N型硅外延层，且每去除一层，测定一次剩余P型硅外延层的电阻Rs总‑i，直到测到第N层，其中，i为1～N的自然数；(6)计算P型硅外延层每次去除部分的电阻Rsi。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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