[发明专利]一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201110202343.2 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102306600A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 邹继军;常本康;张益军;金解云;邓文娟;彭新村 | 申请（专利权）人： | 东华理工大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 江西省抚州市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1-xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的AlxGa1-xAs缓冲层内，生长从AlxGa1-xAs到GaAs发射层Al组分逐渐降低的变带隙缓冲层，构建从AlxGa1-xAs到GaAs的内建电场，在内建电场的作用下，AlxGa1-xAs层中产生的光电子以扩散加漂移的方式输运到发射层，从而提高短波光子的光电发射量子效率，达到蓝延伸的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 延伸 变带隙 algaas gaas 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1‑xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成，其特征在于：所述变带隙AlxGa1‑xAs缓冲层，厚度为1~2μm，p型掺杂浓度(5~10)×1018cm‑3，AlxGa1‑xAs层Al组分由Si3N4增透膜往GaAs发射层方向由最大0.4~0.7线性下降到零。
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