[发明专利]一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法无效
| 申请号： | 201110202723.6 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102881572A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 刘莹 | 申请（专利权）人： | 刘莹 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，主要包括镀铝膜及激光烧结背电场，其中所述镀铝膜可采用溅射镀膜或者蒸发镀膜，其膜厚控制在0.5-2.0μ，激光烧结采用连续式固体激光器，在真空环境下进行，用以形成背电场。在进行激光烧结时，使基片具有0-500℃的本底温度。这种免接触式制备晶体硅电池背电极的方法，降低了碎片率，减少了电极材料的浪费，同时也容易形成自动化生产线，利于规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 烧结 制备 晶体 电池 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，主要包括镀铝膜及激光烧结工序，其特征在于：所述镀铝膜为真空镀膜，用以形成与晶体硅表面附着力良好的铝电极；所述激光烧结为在真空条件下，用激光对附着铝电极的晶硅面进行烧结，以形成背表面电场；所述晶体硅在激光烧结时具有本底温度，以加快烧结过程；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
