[发明专利]半导体元件制造方法无效
| 申请号： | 201110202822.4 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102891086A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘安淇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件制造方法，该制造方法包括下列步骤：提供基板，基板上方已形成硅栅极结构；对硅栅极结构的硅表面进行改性工艺，进而将该硅栅极结构的硅表面特性由疏水性改变成亲水性；于该基板上方形成掩模结构；利用已进行完改性工艺的硅栅极结构与掩模结构来对基板进行掺质注入工艺；以及使用包括湿式清洗步骤的掩模结构清除工艺来去除该掩模结构。上述半导体元件制造方法中，由于硅栅极结构的表面特性已转为亲水性，使得湿式清洗步骤可顺利的将灰化后的残余物移除干净。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件制造方法，包括下列步骤：提供基板，该基板上方已形成有硅栅极结构；对该硅栅极结构的硅表面进行改性工艺，进而将该硅栅极结构的硅表面特性由疏水性改变成亲水性；于该基板上方形成掩模结构；利用已进行完该改性工艺的该硅栅极结构与该掩模结构来对该基板进行掺质注入工艺；以及使用包括湿式清洗步骤的掩模结构清除工艺来去除该掩模结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110202822.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用PP原生料和废料制备LFT-D漏粪板的方法
- 下一篇：一种智能压力检测仪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
