[发明专利]具有低K材料的三维集成电路结构有效
| 申请号： | 201110204416.1 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102420213A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;吴仓聚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件，包括：其中不包含有源器件的中介层。中介层包括：基板；穿透基板的基板通孔(TSV)；以及位于基板上方的低k介电层。本发明还提供了一种具有低K材料的三维集成电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 材料 三维集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：中介层，其中不包含有源器件，其中，所述中介层包括：基板；基板通孔(TSV)，穿透所述基板；以及第一介电层，位于所述基板上方，其中，所述第一介电层的第一k值小于大约3.8。
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