[发明专利]识别具有较差的亚阈斜率或较弱的跨导的非易失存储器元件的方法

摘要

本发明涉及识别具有较差的亚阈斜率或较弱的跨导的非易失存储器元件的方法。本发明提出用于对具有较差的亚阈斜率与降低的跨导的单元进行识别的若干方法。第一组技术集中于降级的存储元件的较差的亚阈特性，其通过使单元循环，随后将所述单元编程为高于接地状态的一状态，随后用低于此状态的阈电压的一控制栅极电压读取所述单元，以检验所述单元是否仍导通。第二组实施例集中于较弱的跨导特性，其是通过用超过所述阈电压很多的一控制栅极电压读取已编程的单元。第三组实施例改变所述存储元件的源极-漏极区域处的电压电平。在偏压条件的此偏移下，好的存储元件的电流-电压曲线是相对稳定的，而降级的元件则显示一较大的偏移。所述偏移量可用于区分好的元件与坏的元件。

主权项

一种用于确定包含多个存储元件的一非易失存储器中的有缺陷存储元件的方法，其中所述元件的数据状态是所述元件的电流‑电压特征的一函数，所述方法包含：将所述存储元件的一第一个编程为一状态，其中由响应一第一组偏压条件的施加而流过所述存储元件的一第一电流电平确定所述状态；施加一与所述第一组偏压条件不同的第二组偏压条件至所述第一存储元件；确定一参数，所述参数可指示响应于所述第二组偏压条件的施加而流过所述第一存储元件的所述电流电平；和基于所述参数的值确定所述第一存储元件是否是有缺陷的。