[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201110204593.X 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102339804A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 村上智博;加藤隆彦;中村真人;寺崎健 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种半导体器件,该半导体器件在外部镀膜中具有改善的抗晶须性。该半导体器件包括半导体芯片固定于其上的薄片、多个内引线、与内引线一体形成的多个外引线、用于将半导体芯片的电极焊盘与内引线彼此耦合的多个接线以及用于密封半导体芯片的密封体。外引线从密封体突出并且在每个外引线的表面上形成作为无铅镀膜的外部镀膜。在外部镀膜中,直径不大于1μm且在外部镀膜的厚度方向中的界面侧上存在的晶粒数目比不大于1μm且在外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目大,由此使得外部镀膜和外引线之间的线性膨胀系数之差较小,从而使得可以抑制晶须的生长。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体芯片,具有多个表面电极;裸片焊盘,在所述裸片焊盘之上安装有所述半导体芯片;多个内引线,围绕所述半导体芯片布置;多个接线,用于将所述半导体芯片的所述表面电极与所述内引线彼此电耦合;密封体,用于密封所述半导体芯片、所述内引线和所述接线;多个外引线,分别与所述内引线一体耦合并从所述密封体露出;以及外部镀膜,分别形成在所述外引线的表面之上,其中所述外部镀膜各自形成为使得直径不大于1μm且在关于所述外部镀膜的厚度方向中的中心更靠近于对应引线的界面侧上存在的晶粒数目大于直径不大于1μm且在所述外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目。
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