[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片无效
| 申请号： | 201110205653.X | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102332630A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 郝敏 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层。该衰减片在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 氮化 陶瓷 150 30 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于：其包括一9.55*6.35*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州市新诚氏电子有限公司，未经苏州市新诚氏电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110205653.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大功率半导体元件模组封装结构
- 下一篇：一种葡萄糖酸氯己定含漱液
