[发明专利]紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法

摘要

本发明紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法解决了现有技术中，使用光掩模对硅片进行光刻会产生雾状缺陷，导致产品合格率低，而采用湿法清洗会增加大量成本及延长时间周期的问题，使用紫外光配合反应气体对掩模板进行干法刻蚀，有效去除掩模板表面的有机残留和雾状缺陷，且无需将掩模板表面的保护膜移除，一次即可完成清洗。

主权项

一种紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：    步骤a：通过一掩模板传送装置将一掩模板传送至一密封紫外线膜腔内；    步骤b：在紫外线模腔内通入反应气体；    步骤c：通过紫外线光源发射出紫外光对掩模板上具有缺陷的部分进行照射，激发混合气体，对掩模板上具有缺陷的部分进行干法刻蚀。