[发明专利]在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法

摘要

本发明在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法解决了现有技术中刻蚀形成栅极的过程中容易对浅沟槽隔离造成损伤，从而导致浅沟槽隔离失效，形成短路的问题，通过在形成第一栅结构和第二栅结构的过程中加入刻蚀阻挡层，从而有效避免了对浅沟槽隔离的损伤。

主权项

一种在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法，在一衬底上形成浅沟槽隔离区域，其特征在于，包括以下步骤：    在衬底上淀积一层刻蚀阻挡层；对刻蚀阻挡层进行刻蚀，仅保留覆盖在器沟槽隔离区域上的刻蚀阻挡层；在衬底上依次淀积一第一高介电常数层、一第一金属栅材料层和一第一多晶硅层，第一高介电常数层、第一金属栅材料层和第一多晶硅层同时覆盖在残留的刻蚀阻挡层上；    对第一高介电常数层、第一金属栅材料层和第一多晶硅层进行刻蚀，仅保留浅沟槽隔离区域一侧的部分第一高介电常数层、第一金属栅材料层和多晶硅层；    在衬底上依次淀积一第二高介电常数介质层、一第二金属栅材料层、一第二多晶硅层，第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层同时覆盖在残留的刻蚀阻挡层上；    对第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层进行刻蚀，仅保留浅沟槽隔离区域另一侧的部分第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层；    刻蚀去除残留的刻蚀阻挡层；    在衬底上淀积第三多晶硅层作为覆盖层，进行刻蚀，在浅沟槽隔离区域的两侧形成第一栅结构和一第二栅结构。