[发明专利]一种固晶方法无效
申请号: | 201110206548.8 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102332507A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 李金明 | 申请(专利权)人: | 东莞市万丰纳米材料有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及半导体封装技术,尤其涉及一种固晶方法,其包括以下步骤:S1,提供基板、提供LED晶片;S2,提供散置的片状的AuSn焊料;S3,提供吸盘,并通过吸盘吸起AuSn焊料;S4,将AuSn焊料放置于基板;S5,预热,即将放置好AuSn焊料的基板加热;S6,置晶,即在AuSn焊料上放置LED晶片;S7,焊接;S8,冷却;其中,S5步骤所述的预热,温度为90℃至265℃;S7步子所述的焊接为超声波熔接。本发明提供一种过程简洁的固晶方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 方法 | ||
【主权项】:
一种固晶方法,适用于LED光源模块封装,其特征在于包括以下步骤:S1,提供基板、提供LED晶片;S2,提供散置的片状的AuSn焊料;S3,提供吸盘,并通过吸盘吸起AuSn焊料;S4,将AuSn焊料放置于基板;S5,预热,即将放置好AuSn焊料的基板加热;S6,置晶,即在AuSn焊料上放置LED晶片;S7,焊接;S8,冷却;其中,S5步骤所述的预热,温度为90℃至265℃;S7步子所述的焊接为超声波熔接。
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