[发明专利]腔室装置及具有该腔室装置的等离子体处理设备有效
申请号: | 201110207202.X | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102888596A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 张风港 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了腔室装置及具有该腔室装置的等离子体处理设备。腔室装置包括:腔室本体,所述腔室本体内限定有腔室;第一和第二射频电极板,所述第一和第二射频电极板分别设在所述腔室本体的第一和第二侧且暴露到所述腔室内,所述第一和第二射频电极板分别与所述腔室本体绝缘;和载板,所述载板设在所述腔室内且接地以用作接地电极板,所述载板具有分别与所述第一和第二射频电极板相对且用于承载晶片的第一和第二侧面。根据本发明的腔室装置,可以显著地减少乃至彻底避免工艺过程中产生的颗粒、以及长时间运行后第一和第二射频电极板剥落的颗粒落于晶片表面,从而可以显著改善处理后的晶片的质量。此外,整个腔室装置结构紧凑、产能高。 | ||
搜索关键词: | 装置 具有 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种腔室装置,其特征在于,包括:腔室本体,所述腔室本体内限定有腔室;第一和第二射频电极板,所述第一和第二射频电极板分别设在所述腔室本体的横向上的第一和第二侧且暴露到所述腔室内,所述第一和第二射频电极板分别与所述腔室本体绝缘;和载板,所述载板设在所述腔室内以用作接地电极板,所述载板具有分别与所述第一和第二射频电极板相对设置且用于承载晶片的第一和第二侧面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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