[发明专利]霍山石斛试管苗的架空栽培方法

摘要

本发明涉及一种霍山石斛种苗的架空栽培方法，本方法包括以下步骤：平整土地、建棚、摆设立体架(苗床)、大棚消毒、种植基质的摆放、种苗定植、肥水管理及采收。首先进行基地基础设施建设，大棚建设完毕后摆放立体架并进行种苗移栽前的大棚消毒，上述步骤完成后在立体栽培架上方摆放含有种植基质的栽培容器或在栽培架的网状物上直接铺设种植基质，在棚内温度达到10℃以上时进行种苗定植，种苗移栽后按要求进行肥水管理，2年后可以采收。该栽培方法既能显著提高霍山石斛试管苗移栽成活率又能有效防止病虫害，缩短了生产周期，使产品品质均匀一致，且该发明方法操作简单，易于开展霍山石斛种苗的规模化生产。

主权项

一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)平整土地：除去土地上的杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；(2)建棚：在基地上架设塑料大棚，在大棚内、外各铺设一层遮光率为60‑80％的遮阴网，内、外遮阴网均可根据阳光强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的外围四周围设40‑60目防虫网，在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于调节棚内空气湿度和给石斛浇水；(3)摆设立体栽培架：在大棚内依次摆放立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设有可承载种植基质或含有种植基质的栽培容器的网状物；(4)大棚消毒：在种苗种植前的6‑7天内，清理干净棚内的杂草，并按照10‑50kg/667m2的要求在棚内均匀地撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；(5)种植基质的摆放：种植基质直接摆放在栽培架的网状物上面，或先摆放于栽培容器内，再将栽培容器置于栽培架的网状物上；(6)种苗定植：在棚内温度达到10℃以上时，将试管栽培的种苗移栽到基质里；(7)肥水管理：从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗的根开始生长后的5‑30天内，向基质表面施有机肥，以后的栽培期间以3‑6个月施肥一次；叶面喷洒无机肥，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在60‑90％范围之间；(8)采收：按照上述方法栽培生长2年后，开始采收部分石斛，以后每年采收一部分，生长达到5年后全部采收完毕。