[发明专利]织构化单晶有效
| 申请号： | 201110207976.2 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102268740A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | F·利纳尔;G·勒康;F-J·弗默施 | 申请（专利权）人： | 圣戈班晶体及检测公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄念;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及织构化单晶的制造方法，包括在单晶表面上沉积金属触点，接着在所述触点上和在触点之间的单晶上沉积保护层，接着用侵蚀该金属比侵蚀该保护层更迅速的第一化合物进行表面侵蚀，接着用侵蚀该单晶比侵蚀该保护层更迅速的第二化合物进行表面侵蚀，接着用侵蚀该保护层比侵蚀该单晶更迅速的第三化合物进行表面侵蚀。织构化基材可以用于在LED、电子部件、太阳能电池等制造范围中的GaN、AIN、Ⅲ-N化合物(即，其正离子带有3个正电荷的金属氮化物)的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 织构化单晶 | ||
【主权项】：
织构化单晶的制造方法，包括●在单晶表面上沉积金属触点，接着●在所述触点上和在触点之间的单晶上沉积保护层，接着●用侵蚀金属比侵蚀保护层更迅速的第一化合物侵蚀该表面，接着●用侵蚀单晶比侵蚀保护层更迅速的第二化合物侵蚀该表面，接着●用侵蚀保护层比侵蚀单晶更迅速的第三化合物侵蚀该表面。
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