[发明专利]存储单元测试电路及其测试方法有效

专利信息
申请号: 201110208077.4 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN102903392A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 王一奇;韩郑生;赵发展;刘梦新;毕津顺 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C29/08 分类号: G11C29/08
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 郑瑜生
地址: 100029 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种存储单元测试电路,包括:存储单元阵列,用于储存信息数据;预充电电路,用于对存储单元阵列的位线进行预充电;写电路,用于将数据写入存储单元阵列;读取电路,用于感应存储单元阵列中的信息获得信号,并放大信号,通过驱动电路驱动信号到压焊点上,使得信号的电流满足测试仪器的驱动要求。本发明还公开了一种存储单元功能测试的方法。本发明公开的上述方案,解决了测试芯片中遇到的占用面积大、设计成本昂贵、设计周期长的问题,在版图设计时可以将新型存储单元直接嵌入到存储单元测试模块中,只需要采用合适的印刷板电路和普通的测试仪器,即可以应用于单粒子实验中的存储器测试,在一次流片中就可以制作多种不同电路结构的存储单元的测试模块。
搜索关键词: 存储 单元测试 电路 及其 测试 方法
【主权项】:
一种存储单元测试电路,其特征在于,包括:存储单元阵列,用于储存信息数据;预充电电路,用于对所述存储单元阵列的位线进行预充电;写电路,用于将数据写入所述存储单元阵列;读取电路,用于感应所述存储单元阵列中的信息获得信号,并放大所述信号,通过驱动电路驱动所述信号到压焊点上,使得所述信号的电流满足测试仪器的驱动要求。
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