[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种金属互连结构中铜合金工艺的改进方法，用于防止纯铜金属的氧化和扩散、保持铜的低阻抗特性并简化工序。首先在电介质层上形成一沟槽，该沟槽暴露出半导体基底上的下部互连结构，并在沟槽内壁和被暴露的下部互连结构上形成阻障层和种晶层。接着采用化学电镀法沉积铜金属层，以填满该沟槽。然后采用化学电镀法沉积一铜合金层，覆盖于该铜金属层上，并对所述铜合金层实施退火处理。最后，去除所述铜合金层的多余部分直至露出所述电介质层表面，并在该铜合金层和电介质层上沉积覆盖层，以用于后续工艺。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底包含下部互连；在所述半导体基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成暴露出所述下部互连的沟槽；在所述电介质层上和所述沟槽中形成阻障层和种晶层；采用化学电镀法沉积铜金属层，填满所述沟槽；采用化学电镀法沉积铜合金层，覆盖于所述铜金属层上；执行退火处理。