[发明专利]一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 201110208419.2 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102243996A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;陈红兵;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法。本发明采用(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气作为反应前驱体，利用原子层淀积设备直接生长高密度铂纳米晶颗粒，其中，所述的反应前驱体(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气是以脉冲方式交替通入反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗，如此进行若干次循环淀积；然后进行高温快速热退火处理，以改变纳米晶的形状、大小和密度。本发明以原子层淀积技术生长高密度铂纳米晶颗粒，工序简单，纳米颗粒大小可精确控制，可以获得横向平均直径为4～5nm，密度为1.2×1012cm-2的铂纳米晶颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 闪存 高密度 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，具体步骤为：首先，采用(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气作为反应前驱体，利用原子层淀积设备在衬底上淀积生长高密度铂纳米晶，其中，所述的反应前驱体(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气是以脉冲方式交替通入原子层淀积设备反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗，如此进行若干次循环淀积；然后，对原子层淀积生长的高密度铂纳米晶，进行快速热退火处理，改变铂纳米晶的颗粒的形状、大小和密度，得到高密度铂纳米晶颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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