[发明专利]选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺无效
| 申请号： | 201110209124.7 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102270701A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 林涛;陈清波;冯帅臣;姚绍荣;张耀明;张茂胜 | 申请（专利权）人： | 江苏伯乐达光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 224051 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其工艺步骤包括：在硅片上印刷硅墨；向扩散炉内通入氧气，使所述硅片以及所述硅墨的表面均形成二氧化硅层；向所述扩散炉内通入三氯氧磷进行扩散，使印刷有所述硅墨的区域形成重掺杂区，在所述硅片上未印刷所述硅墨的区域形成浅掺杂区。本发明提供的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺能够进行大规模工业生产，工艺过程简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 发射极 太阳能电池 一次性 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，包括：在硅片上印刷硅墨；向扩散炉内通入氧气，使所述硅片以及所述硅墨的表面均形成二氧化硅层；向所述扩散炉内通入三氯氧磷进行扩散，使印刷有所述硅墨的区域形成重掺杂区，在所述硅片上未印刷所述硅墨的区域形成浅掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏伯乐达光伏有限公司，未经江苏伯乐达光伏有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110209124.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轻型储能式快速展开机构
- 下一篇：一种磁吸式传动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
