[发明专利]一种提高SOI-PMOS器件背栅阈值电压的方法无效
| 申请号： | 201110209346.9 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102270582A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 梅博;毕津顺;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及SOICMOS半导体集成电路技术领域，具体涉及一种提高SOI-PMOS器件背栅阈值电压的方法。所述方法具体包括如下步骤：将SOI-PMOS器件的源极、漏极、栅极均接地电位，将SOI-PMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的负直流电压，并持续10秒以上的时间。本发明测试了SOI-PMOS器件的背栅阈值电压，提高了SOI-PMOS器件的背栅沟道开启的阈值电压，能够实现SOI-PMOS器件背栅阈值电压的增加和关态漏电流的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 soi pmos 器件 阈值 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种提高SOI‑PMOS器件背栅阈值电压的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：将SOI‑PMOS器件的源极、漏极、栅极均接地电位，将SOI‑PMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的负直流电压，并持续10秒以上的时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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