[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110209405.2 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102270718A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物LED结构，包括衬底以及在衬底上生长的低温成核层和非掺杂氮化物层，在所述低温成核层上生长三维生长层，在所述三维生长层与所述非掺杂氮化物层之间设置有一AlxIn1-xN材料层，所述AlxIn1-xN材料层具有粗糙表面，所述AlxIn1-xN材料层的折射率与所述非掺杂氮化物层的折射率不同，其中，0＜x＜1。本发明还提供了氮化物LED结构的制备方法。本发明提供的氮化物LED结构，由于散射作用，改变了光线的传输方向，扩展了光出射的临界角度，提高了取光效率和外量子效率。本发明提供的制备方法能够与通常采用的LED外延生长工艺兼容，在反应室中一次完成，而不需要采取另外的加工或制程工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED结构，包括衬底以及在所述衬底上生长的低温成核层和非掺杂氮化物层，其特征在于，在所述低温成核层上生长三维生长层，在所述三维生长层与所述非掺杂氮化物层之间设置有一AlxIn1‑xN材料层，所述AlxIn1‑xN材料层具有粗糙表面，所述AlxIn1‑xN材料层的折射率与所述非掺杂氮化物层的折射率不同，其中，0＜x＜1。
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