[发明专利]提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法有效
| 申请号： | 201110209552.X | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102270711A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 秦海滨;张志成;郭强;张彦伟 | 申请（专利权）人： | 山西天能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花 |
| 地址： | 030006 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，属于以Si作为衬底生长GaN基LED的技术领域；所要解决的技术问题是提供一种能够提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法；采用的技术方案为：提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，按以下步骤进行：第一步、用SiO2作为衬底的底层；第二步、用Si作为衬底的第二层；第三步：在Si层上生长GaN层；本发明利用GaN、Si和SiO2这几种不同材料的界面反射效应，减少衬底材料对蓝绿光的吸收，提高了LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 衬底 蓝绿 led 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，其特征在于：按以下步骤进行：第一步、用SiO2作为衬底的底层，SiO2层(3)的厚度的计算公式为：![]()
其中：λ为蓝绿光的波长，n2为SiO2的折射率，k为整数。第二步、用Si作为衬底的第二层，Si层(2)的厚度的计算公式为：![]()
其中：λ为蓝绿光的波长，n1为Si的折射率，k为整数。第三步：在Si层上生长GaN层(1)。
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