[发明专利]一种超薄单晶硅片和制作该硅片的线切割装置及切割方法无效
| 申请号： | 201110210184.0 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102248612A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 葛相麟;戴建俊;李义 | 申请（专利权）人： | 营口晶晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 115007 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超薄单晶硅片，硅片厚度为180±20μm。一种线切割装置，具有切割线和主动辊，主动辊上具有线槽，线槽与切割线配合，线槽的槽口宽度为0.31mm-0.32mm，切割线直径为0.10mm-0.11mm。一种切割该硅片的方法，将线槽的槽口宽度设为0.31mm-0.32mm，切割线直径为0.10mm-0.11mm；控制切割线的线速度为9.4m/s-10.4m/s，设置硅锭下压速度不超过0.3mm/s，切削液流量为80-90L/min。本发明改进槽口的宽度，在单位硅锭上可以产出更多的单晶硅片，提高了产能，同时也减少了损耗；通过控制切割速度等工艺参数，保证了切割过程的稳定和降低了碎片率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 单晶硅 制作 硅片 切割 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄单晶硅片，其特征在于：硅片厚度为180±20μm。
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