[发明专利]双极性晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种双极性晶体管(bipolar junction transistor，BJT)装置及其形成方法。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽，而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(base structure)、间隙物、发射极结构(emitter structure)。各间隙物具有上宽(top width)及底宽(bottom width)，上宽大体上与底宽相等。本发明提供的装置性能有提升。

主权项

一种双极性晶体管的制造方法，包括：提供具有一集电极区的一半导体基板；在该半导体基板上形成一第一半导体层；在该第一半导体层上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一第二半导体层；在该第二半导体层上形成一第二介电层；在该第二介电层、该第二半导体层、及该第一介电层中形成一沟槽，而暴露出该第一半导体层的一部分；在该沟槽中形成一虚设间隙物；而后，移除该第一半导体层暴露出的该部分，而延伸该沟槽，并暴露出该半导体基板具有该集电极区的一部分；而后，移除该虚设间隙物及该第二介电层；以及而后，在该沟槽中形成一基极结构、一间隙物、及一发射极结构。