[发明专利]溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110211399.4 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102312190A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | P·L·奥基夫 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C30B29/48;C30B23/00;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法。公开了用于在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法。所述方法能够包括：在按照体积包括约0.01％到约5％的水蒸汽(例如，按照体积约0.05％到约1％的水蒸汽)的溅射气氛中，在衬底上冷溅射(例如，在约10℃到约100℃的溅射温度)电阻透明缓冲层。然后能够在约450℃到约700℃的退火温度退火电阻透明缓冲层。在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法能够用在制造镉薄膜光伏器件的方法中，其中通过在电阻透明缓冲层上形成硫化镉层并且在硫化镉层上形成碲化镉层来制造镉薄膜光伏器件。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 用于 基于 碲化镉 器件 rtb 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底(12)上沉积电阻透明缓冲薄膜层(16)的方法，所述方法包括：在按照体积包括约0.01％到约5％的水蒸气的溅射气氛中，在约10℃到约100℃的溅射温度将电阻透明缓冲层(16)溅射在衬底(12)上；以及在约450℃到约700℃的退火温度退火所述电阻透明缓冲层(16)。
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