[发明专利]一种光刻胶清洗液无效
申请号: | 201110211526.0 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102902168A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 刘兵;彭洪修;孙广胜 | 申请(专利权)人: | 安集微电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光刻胶清洗液,该清洗液为非水性的低蚀刻清洗液。其含有:醇胺、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑和助溶剂。这种光刻胶清洗液可以用于LED和半导体中光刻胶去除,同时对于基材基本没有攻击如金属铝等,更为特出的是该体系具有较强的耐水性,拓宽了其操作窗口,在LED和半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 清洗 | ||
【主权项】:
一种光刻胶清洗液,其特征在于,包含:醇胺、3‑氨基‑5‑巯基‑1,2,4‑三氮唑以及助溶剂。
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