[发明专利]存储器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201110211551.9 申请日: 2011-07-27
公开(公告)号: CN102339644A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 袁庆鹏 申请(专利权)人: 聚辰半导体(上海)有限公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24;H01L27/115
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 骆希聪
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一个存储器包括至少一个制做在半导体衬底上的存储阵列。每个存储阵列包括一条页控制线和若干页,每个页按行排列并且包含若干字节,这些字节都与页控制管连接,页控制管的漏极接页控制线。每个字节包括至少一个存储单元。每个存储阵列还包括若干源极控制器件使源极线可以被偏置在预设电位或浮置电位。每条源极线连接到存储阵列中同一字节段的所有字节。还提供了按字节操作此存储器的读取,擦除和编写方法。
搜索关键词: 存储器 及其 操作方法
【主权项】:
一种存储器包括:至少一个制做于半导体衬底上的存储阵列;每个存储阵列包括一条页控制线、多个页控制管、多条字线、多条位线及多个页,页按行排列并包含多个字节连接到一页控制管,每一页控制管的漏极接到一页控制线上,每一页控制管的栅极连接到一字线上;每个字节包含至少一个存储单元;所述存储阵列还包括多个源极控制器件及多条源极线,源极控制器件为源极线提供预设偏置或浮置电位,每条源极线连接到存储阵列同一字节段的所有字节上;其中,每个存储单元包含一个存储管和一个位选管但无阱偏置;存储管的源极连接到同一字节段的源极线,存储管的栅极连接同一行页控制管的源极,存储管的漏极连接本存储单元位选管的源极;位选管的栅极连接同一行页控制管的栅极及字线,位选管的漏极连接位线,位线连接存储阵列同一列中所有存储单元。
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