[发明专利]一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法无效
| 申请号： | 201110212298.9 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102280370A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;孙晓娟;宋航;李志明;陈一仁;缪国庆;蒋红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，涉及半导体技术领域。它解决了现有在硅衬底上生长的非极性面GaN模板不能用于生长非极性面AlGaN，尤其是在GaN模板上生长高Al组分AlGaN时模板表面存在裂纹且表面不平整的问题，其方法为：选择硅衬底；采用光刻、电子束蒸发以及Lift??Off技术获得适合AlN外延生长的图形化掩膜窗口；采用湿法腐蚀技术选择性腐蚀硅衬底，获得与硅表面成一定夹角的硅(111)面；采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)生长AlN缓冲层；利用高温MOCVD法生长AlN模板。本发明所述方法提高了AlGaN光电子器件的效率提供了途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 生长 极性 aln 模板 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、选择硅衬底；步骤二、采用光刻方法在步骤一中选择的硅衬底上制备条形光刻胶掩膜图形；步骤三、采用电子束蒸发的方法对步骤二制备的光刻胶掩膜图形蒸镀掩膜材料，然后采用Lift Off方法获得图形化掩膜图形；步骤四、采用湿法腐蚀方法选择性腐蚀硅衬底，获得与硅表面成固定夹角的硅(111)面；步骤五、采用MOCVD法在步骤四所述的硅表面生长AlN缓冲层；然后采用高温MOCVD法继续生长AlN模板，获得在硅衬底上长非极性面的AlN模板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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