[发明专利]N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法，该方法是首先在蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层，并在发光外延层上制备出透明导电层，然后在透明导电层上低温蒸镀N型导电导热超晶格DBR层，以使该透明导电层与N型导电导热超晶格DBR层和发光外延层同时形成欧姆接触，接着将导电性衬底键合至N型导电导热超晶格DBR层上以形成P电极，最后剥离掉该蓝宝石衬底，在该发光外延层的下表面制备出N电极。该方法制作出的垂直式蓝光LED芯片克服了现有技术中的垂直式LED芯片电极材料难与P-GaN形成欧姆接触、反射镜粘附性弱、高温下反射镜的反射率下降、导电DBR的制备温度过高和使用导电DBR作为高反光P电极的垂直式蓝光LED芯片电压过高等问题。

主权项

一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层；2)于所述发光外延层上蒸镀一透明导电层；3)采用低温电子束蒸镀及辅助离子源夯实成膜技术在所述透明导电层上制备出N型导电导热超晶格DBR层，并通过高温退火以使所述透明导电层与所述N型导电导热超晶格DBR层和发光外延层同时形成欧姆接触；4)提供一导电性衬底，采用晶圆键合技术将所述导电性衬底键合至所述N型导电导热超晶格DBR层的上表面以形成P电极；5)利用激光剥离技术剥离所述蓝宝石衬底，以将所述蓝宝石衬底从所述发光外延层的下表面剥离；以及6)于所述发光外延层的下表面制备出N电极。